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- 封装：6-UFDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.155
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6
- 封装：6-UFDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.155
NTLUD3A260PZTBG 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：300pF @ 10V
- 功率 - 最大：800mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：6-UDFN（1.6x1.6）
- 包装：带卷 (TR)