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- 封装：6-WDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.16392-$0.21173
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN
- 封装：6-WDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.16392-$0.21173
NTLJD3115PT1G 供应商
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onsemi
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WDFN6 2x2, 0.65P
21+ -
18000
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上海市
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一级代理原装
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ON
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8 -
14780
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杭州
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原装正品现货
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ON/安森美
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SMD
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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ORSEMI/安森美
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WDFN-6
22+ -
669480
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上海市
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原装可开发票
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O/ELNAF
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WDFN6
1826+ -
87000
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
NTLJD3115PT1G 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：531pF @ 10V
- 功率 - 最大：710mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：6-WDFN（2x2）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTLJD3115PT1G-NDNTLJD3115PT1GOSTR