搜索
发布采购
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.03276-$0.05796
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-363
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.03276-$0.05796
NTJD5121NT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
NTJD5121NT1G
原装现货 -
ON
-
SOT363
2219+ -
6000
-
深圳
-
12-03
-
QQ询价原装真实库存现货热卖
-
NTJD5121NT1G
热卖 -
ON SEMICONDUCTOR
-
-
23 -
175000
-
上海市
-
-
-
原装清仓，赔本处理
-
ON
-
SOP
2021+ -
514222
-
苏州
-
-
-
原装
-
onsemi
-
SC-88/SC70-6/SOT-363 6
21+ -
513000
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
onsemi
-
SOT-363
- -
2300
-
上海市
-
-
-
经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
-
ON
-
-
8 -
2670
-
杭州
-
-
-
原装正品现货
-
ON/安森美
-
SC70-6
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
-
ON
-
-
2018 -
146
-
上海市
-
-
-
全新原装
-
ORSEMI/安森美
-
SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
22+ -
670027
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
-
O/ELNAF
-
SC70
1908+ -
498980
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
NTJD5121NT1G 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：295mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.9nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：26pF @ 20V
- 功率 - 最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SC-88
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTJD5121NT1G-NDNTJD5121NT1GOSTR