- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.08364-$0.1122
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363
- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
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NTJD4152PT1G 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:-
- FET 型:2 个 P 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:880mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:260 毫欧 @ 880mA,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:155pF @ 20V
- 功率 - 最大:272mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:NTJD4152PT1GOSTR