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- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
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NTJD4001NT1G
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NTJD4001NT1 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：250mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 欧姆 @ 10mA，4V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.3nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：33pF @ 5V
- 功率 - 最大：272mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTJD4001NT1OS
NTJD4001NT1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NTJD4001NT1
|
Small Signal MOSFET |
6 Pages页,47K | 查看 |
|
NTJD4001NT1G
|
Small Signal MOSFET |
6 Pages页,47K | 查看 |