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- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.186-$0.22475
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.186-$0.22475
NTHD3100CT1G 供应商
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ON
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8 -
7243
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杭州
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原装正品现货
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ORSEMI/安森美
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ChipFET-8
22+ -
669432
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上海市
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原装可开发票
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ON
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1206-8
23+ -
5800
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上海市
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进口原装现货，杜绝假货。
NTHD3100CT1G 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.9A，3.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.3nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：165pF @ 10V
- 功率 - 最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：ChipFET?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTHD3100CT1GOSTR
NTHD3100CT1G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NTHD3100CT1G
|
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 1206A; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.08ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes |
8页,148K | 查看 |