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- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET
- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
NTHC5513T1 供应商
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ON/安森美
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ChipFET
2024 -
91752
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上海市
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ONSemiconductor
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ChipFET?
18+ -
400
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上海市
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ON/ELNAF
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SOT23-8
1916+ -
5003
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原装正品现货
NTHC5513T1 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.9A，2.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：180pF @ 10V
- 功率 - 最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：ChipFET?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTHC5513T1OS