搜索
发布采购
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N+P 20V 2.8A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
NDS9943 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ONSemiconductor
-
8-SOIC
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
FAIRCHILD
-
DIP-40
23+ -
15000
-
上海市
-
-
-
中国区代理原装现货热卖特价
NDS9943 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A，2.8A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：125 毫欧 @ 3A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：525pF @ 10V
- 功率 - 最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NDS9943TR