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MP4209(Q)
FET - 阵列- 封装：10-SIP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01 00:04:00
MP4209(Q)
FET - 阵列产品简介：MOSFET MOD N-CH 100V 3A 10-SIP
- 封装：10-SIP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
MP4209(Q) 中文资料属性参数
- 标准包装：20
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：4 N 通道（半桥）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：350 毫欧 @ 2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：13.5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：280pF @ 10V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：10-SIP
- 供应商设备封装：10-SIP（S-10）
- 包装：散装