- 封装:6-VDFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.18845
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
- 封装:6-VDFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.18845
IRLHS6376TRPBF 供应商
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6-PQFN(2x2)
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IRLHS6376TRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装:4,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:HEXFET®
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.6A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.1V @ 10µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.8nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:270pF @ 25V
- 功率 - 最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:6-PQFN(2x2)
- 包装:带卷 (TR)

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