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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.28391-$0.34751
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 8.1A 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.28391-$0.34751
IRL6372TRPBF 供应商
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INFINEON
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SO8
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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InfineonTechnologies
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8-SO
18+ -
7675
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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infineon
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1996
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上海市
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原装，假一罚十，支持含税
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
IRL6372TRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.1A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 10µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1020pF @ 25V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRL6372TRPBFTR