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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.3709
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A SO8
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.3709
IRL6372PBF 供应商
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- 封装/批号
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- 说明
- 询价
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InfineonTechnologies
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8-SO
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IRL6372PBF 中文资料属性参数
- 标准包装：95
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.1A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 10µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1020pF @ 25V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件