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- 封装：8-PowerVDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.43949-$0.58768
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N CH DUAL 30V 11A PQFN
- 封装：8-PowerVDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.43949-$0.58768
IRFHM8363TR2PBF 中文资料属性参数
- 标准包装：400
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：14.9 毫欧 @ 10A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 25µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1165pF @ 10V
- 功率 - 最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商设备封装：8-PQFN（3.3X3.3），Power33
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRFHM8363TR2PBFTR