- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.284-$0.348
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.284-$0.348
IRF9953TRPBF 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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IR
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SOP-8
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1893
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上海市
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经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
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InfineonTechnologies
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8-SO
18+ -
1451
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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IR
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SOP-8
21+ -
32000
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上海市
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原装现货,品质为先!请来电垂询!
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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IRF9953TRPBF
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Infineon
连可连代销V -
90
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上海市
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1
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Infineon
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2021+ -
28000
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苏州
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INFINEON
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SO8
2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
IRF9953TRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装:4,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:HEXFET®
- FET 型:2 个 P 沟道(双)
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.3A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:250 毫欧 @ 1A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:190pF @ 15V
- 功率 - 最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:IRF9953PBFTRIRF9953TRPBF-NDIRF9953TRPBFTR-ND