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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
更新日期：2025-03-03 16:03:02
产品简介：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
IRF9952 供应商
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1
IRF9952 中文资料属性参数
- 标准包装：95
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.5A，2.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 2.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：190pF @ 15V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
- 其它名称：*IRF9952