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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.49823
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET P-CH DUAL 30V 8.0A SO-8
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.49823
IRF9362PBF 供应商
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InfineonTechnologies
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8-SO
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上海市
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infineon
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标准封装
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8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IRF9362PBF 中文资料属性参数
- 标准包装：95
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：21 毫欧 @ 8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 25µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1300pF @ 25V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件