- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.44494-$0.52111
更新日期:2025-01-08
产品简介:MOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC
- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.44494-$0.52111
IRF9358TRPBF 供应商
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IRF9358TRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装:4,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:HEXFET®
- FET 型:2 个 P 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9.2A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:16.3 毫欧 @ 9.2A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 25µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1740pF @ 25V
- 功率 - 最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:SO-8
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:IRF9358TRPBF-NDIRF9358TRPBFTR