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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.281-$0.344
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.281-$0.344
IRF8313TRPBF 供应商
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IRF8313TRPBF
原装现货 -
IR英飞凌
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SO-8
2013 -
20
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深圳
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11-18
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原装现货
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InfineonTechnologies
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8-SO
18+ -
32364
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上海市
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IR
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SOP8
21+ -
50000
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上海市
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原装现货，品质为先！请来电垂询！
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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MOSFET
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Infineon
连可连代销V -
1
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上海市
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1
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
IRF8313TRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15.5 毫欧 @ 9.7A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 25µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：760pF @ 15V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRF8313TRPBFTR