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IRF7769L2TR1PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：DirectFET? 等距 L8
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$2.561-$2.883

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRF7769L2TR1PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

  • 封装：DirectFET? 等距 L8
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$2.561-$2.883

IRF7769L2TR1PBF 供应商

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IRF7769L2TR1PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：375A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.5 毫欧 @ 74A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：300nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：11560pF @ 25V
  • 功率 - 最大：3.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等距 L8
  • 供应商设备封装：DIRECTFET L8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF7769L2TR1PBFTR

IRF7769L2TR1PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF7769L2TR1PBF

MOSFET, N CH, 100V, 124A, DIRECTFET L8; Transistor Polarity:N Channel; Current Id Max:124A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):2.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; No. of Pins:5

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