- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.01383-$0.0208
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.01383-$0.0208
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2N7002LT3G 中文资料属性参数
- 标准包装:10,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:115mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
- 功率 - 最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:2N7002LT3G-ND2N7002LT3GOSTR
2N7002LT3G 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 |
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