- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel?
- 参考价格:$0.08058-$0.44
更新日期:2025-01-08
产品简介:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23-3
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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2N7002 供应商
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2N7002
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深圳
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01-08
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2N7002
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SOT-23
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深圳
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11-22
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2N7002
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三联盛/
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SOT-23
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11-12
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原装现货 -
DIODES
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SOT363
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深圳
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QQ询价原装真实库存现货热卖
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2N7002ET1G
原装现货 -
Onsemi
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SOT-23
2231 -
79200
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北京市
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原厂授权渠道,现货
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2N7002K-7
原装现货 -
DIODES/美台
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原装现货 -
ON
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SOT-323
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深圳
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12-02
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2N7002-7-F
订货 -
DIODES美台
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2017 -
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热卖 -
雷卯电子LEIDITECH
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2024+ -
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上海市
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2N7002 中文资料属性参数
- 其它有关文件:2N7002 View All Specifications
- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:STripFET™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:200mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:2nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:43pF @ 25V
- 功率 - 最大:350mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:?
- 其它名称:497-3111-6
2N7002 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
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DMOS Transistors (N-Channel) |
5 Pages页,244K | 查看 |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
1 Pages页,244K | 查看 |
![]() |
N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor |
2 Pages页,244K | 查看 |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET |
2 Pages页,244K | 查看 |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
4 Pages页,244K | 查看 |
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N-channel vertical D-MOS transistor |
12 Pages页,244K | 查看 |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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