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2N7000

STMicroelectronics FET - 单
  • 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：散装

更新日期：2024-12-26

2N7000

STMicroelectronics FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92

  • 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：散装

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2N7000 中文资料属性参数

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：STripFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：350mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：2nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：43pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 包装：散装
  • 其它名称：497-3110

2N7000 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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2N7000_D26Z

MOSFET, N, TO-92; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:200mA; Package / Case:TO-92; Power Dissipation Pd:400mW; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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