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2N7002LT1

ON Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：剪切带 (CT)

更新日期：2024-04-01

2N7002LT1

ON Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：剪切带 (CT)

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2N7002LT1 中文资料属性参数

  • 标准包装：10
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：115mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 25V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 其它名称：2N7002LT1OSCT

2N7002LT1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N7002LT1

Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts

 3 Pages页,150K 查看
2N7002LT1

Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23

 4 Pages页,150K 查看
2N7002LT1

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