搜索
发布采购
- 封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP
- 封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
IRF7756TRPBF 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
InfineonTechnologies
-
8-TSSOP
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
IR
-
SOP-8
21+ -
30000
-
上海市
-
-
-
原装现货，品质为先！请来电垂询！
IRF7756TRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫欧 @ 4.3A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1400pF @ 10V
- 功率 - 最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRF7756TRPBF-NDIRF7756TRPBFTR