搜索
发布采购
- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$4.69359
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N+P 30V 2A MICRO8
- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$4.69359
IRF7509TR 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
-
2019+ -
5800
-
上海市
-
-
-
全新原装现货
-
InfineonTechnologies
-
MSOP8
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
INFINEON
-
MICRO8
23+ -
6600
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
-
Infineon
-
Micro-8
- -
512
-
上海市
-
-
-
经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
-
InternationalRectifier
-
-
21+ -
32500
-
上海市
-
-
-
原装现货，品质为先！请来电垂询！
-
MOSFET
-
Infineon
连可连代销V -
13
-
上海市
-
-
-
1
-
Infineon
-
-
2021+ -
28000
-
苏州
-
-
-
INFINEON/英飞凌
-
-
2022+ -
1900
-
上海市
-
-
-
原装现货
IRF7509TR 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.7A，2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：110 毫欧 @ 1.7A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：210pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：带卷 (TR)
IRF7509TR 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRF7509TR
|
Power MOSFET(Vdss=+-30V) |
8 Pages页,218K | 查看 |
|
IRF7509TRPBF
|
MOSFET, NP; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Transistor Case Style:MicroSOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Cont Current Id N Channel:2.7A; Cont Current Id P Channel:2A; Current Id Max:2.7A; On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel:900mohm; On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel:170mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel:140mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel:300mohm; Package / Case:Micro8; Power Dissipation Pd:1.25W; Pulse Curr... |
8页,242K | 查看 |