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  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.212-$0.259

更新日期:2024-04-01

产品简介:MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8

  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.212-$0.259

IRF7507TRPBF 供应商

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IRF7507TRPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.4A,1.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:140 毫欧 @ 1.7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:260pF @ 15V
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro8?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF7507TRPBF-NDIRF7507TRPBFTR

IRF7507TRPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF7507TRPBF

DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V MICRO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):85mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV

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