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- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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IRF7506TR 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 1.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：180pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：Digi-Reel?
- 其它名称：IRF7506DKR
IRF7506TR 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRF7506TRPBF
|
TRANSISTOR, MOSFET; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:1.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MicroSOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-1.7A; Package / Case:MicroSOIC; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V |
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