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- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.243-$0.297
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8
- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.243-$0.297
IRF7503TRPBF 供应商
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IRF7503TRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：135 毫欧 @ 1.7A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：210pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRF7503TRPBF-NDIRF7503TRPBFTR
IRF7503TRPBF 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRF7503TRPBF
|
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, MICRO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.135ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes |
8页,1009K | 查看 |