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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
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IRF7338TRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.3A，3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：34 毫欧 @ 6A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：640pF @ 9V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRF7338TRPBF-NDIRF7338TRPBFTR