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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$2.196
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$2.196
IRF7331TR 供应商
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IRF7331TRPBF
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上海市
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IRF7331TR 中文资料属性参数
- 标准包装：95
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1340pF @ 16V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7331TR 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRF7331TRPBF
|
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:7A; On Resistance, Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Package/Case:8-SO; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes |
9页,130K | 查看 |