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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.82169
更新日期：2025-03-03
产品简介：MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.82169
IRF7304TR 供应商
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IRF7304TR 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 2.2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：610pF @ 15V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7304TR 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRF7304TRPBF
|
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:2W; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes |
9页,232K | 查看 |