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IRF6724MTR1PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：DirectFET? 等容 MX
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.54-$1.733

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRF6724MTR1PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

  • 封装：DirectFET? 等容 MX
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.54-$1.733

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IRF6724MTR1PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：27A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.5 毫欧 @ 27A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：54nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4404pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6724MTR1PBFTR

IRF6724MTR1PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6724MTR1PBF

MOSFET, N-CH, 30V, DIRECTFETMX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:MX; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:DirectFET; Current Id Max:27A; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:212A; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V; Voltage Vgs th M...

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