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IRF6712STR1PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：DirectFET? 等容 SQ
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.579-$0.709

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRF6712STR1PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET

  • 封装：DirectFET? 等容 SQ
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.579-$0.709

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IRF6712STR1PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.9 毫欧 @ 17A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1570pF @ 13V
  • 功率 - 最大：2.2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 SQ
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? SQ
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6712STR1PBF-NDIRF6712STR1PBFTR

IRF6712STR1PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6712STR1PBF

MOSFET, N, DIRECTFET, 25V, SQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Transistor Case Style:SQ; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:6712; Current Id Max:17A; Package / Case:SQ; Power Dissipation Pd:2.2mW; Pulse Current Idm:130A; SMD Marking:2.2; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds:25V; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.4V; Voltage Vgs th Min:1.4V

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