搜索
发布采购
- 封装：DirectFET? 等容 MA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
- 封装：DirectFET? 等容 MA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
IRF6702M2DTRPBF 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
InfineonTechnologies
-
DIRECTFET?MA
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IRF6702M2DTRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装：4,800
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.6 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 25µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1380pF @ 15V
- 功率 - 最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MA
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MA
- 包装：带卷 (TR)