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IRF6609TR1PBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：DirectFET? 等容 MT
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.85-$2.083

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRF6609TR1PBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

  • 封装：DirectFET? 等容 MT
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.85-$2.083

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IRF6609TR1PBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：31A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 毫欧 @ 31A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.45V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：69nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：6290pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MT
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MT
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6609TR1PBFTR

IRF6609TR1PBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6609TR1PBF

N CH MOSFET, 20V, 25A, DIRECTFET MT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.45V ;RoHS Compliant: Yes

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