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IRF640N

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

更新日期：2024-04-01

IRF640N

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

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IRF640N 中文资料属性参数

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大：150W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRF640N

IRF640N 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF640NL

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)

 11页,156K 查看
IRF640NS

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)

 11 页,156K 查看
IRF640NSTRRPBF

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:18A; Package/Case:D2-PAK; Power Dissipation, Pd:150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:13A; Drain Source On Resistance @ 10V:150mohm ;RoHS Compliant: Yes

11页,293K 查看

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