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- 封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
- 封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
IRF5850TR 供应商
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- 说明
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InfineonTechnologies
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6-TSOP
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IRF5850TR 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：135 毫欧 @ 2.2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.4nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：320pF @ 15V
- 功率 - 最大：960mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
- 包装：带卷 (TR)