- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$1.18289-$2.92
更新日期:2025-02-13
产品简介:MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$1.18289-$2.92
IRF3205PBF 供应商
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IRF3205PBF 中文资料属性参数
- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 62A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:146nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:3247pF @ 25V
- 功率 - 最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 其它名称:*IRF3205PBF
IRF3205PBF 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
HEXFET Power MOSFET |
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