IRF3205PBF 的相关信息
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- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 62A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:146nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:3247pF @ 25V
- 功率 - 最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 其它名称:*IRF3205PBF
- 公司
- 型号
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- 封装/批号
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- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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