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IPG20N06S2L-50
FET - 阵列- 封装：8-PowerTDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.33729
更新日期：2024-04-01
IPG20N06S2L-50
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
- 封装：8-PowerTDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.33729
IPG20N06S2L-50 供应商
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INFINEON/英飞凌
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TDSON-8
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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infineon
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
IPG20N06S2L-50 中文资料属性参数
- 数据列表：IPG20N06S2L-50
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 19µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：560pF @ 25V
- 功率 - 最大：51W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商设备封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IPG20N06S2L50ATMA1SP000613728