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HCT802TX
FET - 阵列- 封装：6-SMD，无引线
- RoHS：无铅 / 不适用
- 包装方式：散装
- 参考价格：$53.64
更新日期：2024-04-01 00:04:00
HCT802TX
FET - 阵列产品简介：MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
- 封装：6-SMD，无引线
- RoHS：无铅 / 不适用
- 包装方式：散装
- 参考价格：$53.64
HCT802TX 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：90V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A，1.1A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 1A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：70pF @ 25V
- 功率 - 最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-SMD，无引线
- 供应商设备封装：6-SMD
- 包装：散装