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更新日期：2024-04-01 00:04:00
GWM160-0055P3 中文资料属性参数
- 标准包装：20
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：6 N-沟道（3 相桥）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：160A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 毫欧 @ 100A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：90nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：ISOPLUS-DIL?
- 供应商设备封装：ISOPLUS-DIL?
- 包装：管件
GWM160-0055P3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 GWM160-0055P3
|
Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package |
3 Pages页,80K | 查看 |