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- 封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-CH 35V 8A DUAL 8SOP
- 封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
FW811-TL-E 中文资料属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：35V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫欧 @ 8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.6V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：660pF @ 20V
- 功率 - 最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)