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FW349-TL-E
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
更新日期：2024-04-01 00:04:00
FW349-TL-E
FET - 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 45V 5/4.5A 8-SOP
- 封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
FW349-TL-E 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：45V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A，4.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：37 毫欧 @ 5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：18.1nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：860pF @ 20V
- 功率 - 最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：Digi-Reel?
- 其它名称：869-1168-6