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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N/P-CH DUAL 60V 8SOP
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
FQS4900TF 供应商
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FQS4900TF 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：QFET™
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V，300V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A，300mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：550 毫欧 @ 650mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.95V @ 20mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.1nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)