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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.4992-$0.5824
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.4992-$0.5824
FDS8958A_F085 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ONFAIR/ELNAF
-
SOP8
1906+ -
295
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
FDS8958A_F085 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：PowerTrench®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7A，5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：28 毫欧 @ 7A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：575pF @ 15V
- 功率 - 最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：FDS8958A_F085TR