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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.3402-$0.3969
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.3402-$0.3969
FDS8858CZ 供应商
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FDS8858CZ
原装现货 -
ON
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SOP
21+ -
8984
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深圳
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12-12
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原装进口ON专卖店
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Onsemi
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SOIC-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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FAIRCHILD
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SOP-8
23+ -
5800
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上海市
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进口原装现货，杜绝假货。
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FAIRCHILD/仙童
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-
21+ -
90000
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上海市
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ON/安森美
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SMD
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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fsc
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0
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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ORSEMI/安森美
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SOIC-8
22+ -
669120
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上海市
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原装可开发票
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FAIRCHILD
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DIP-4
23+ -
15000
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上海市
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中国区代理原装现货热卖特价
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FAIRCHILD
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SOP-8
21+ -
30000
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上海市
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原装现货，品质为先，请来电垂询！
FDS8858CZ 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：PowerTrench®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.6A，7.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：17 毫欧 @ 8.6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1205pF @ 15V
- 功率 - 最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：SO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：FDS8858CZTR