- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.20292-$0.2452
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.20292-$0.2452
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FDS4897C 中文资料属性参数
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:PowerTrench®
- FET 型:N 和 P 沟道
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.2A,4.4A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:29 毫欧 @ 6.2A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:760pF @ 20V
- 功率 - 最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOICN
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:FDS4897CTR