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- 封装：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）11 引线，熔断式引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC
- 封装：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）11 引线，熔断式引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
FDQ7698S 中文资料属性参数
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：PowerTrench®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A，15A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1324pF @ 15V
- 功率 - 最大：1.3W，1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）11 引线，熔断式引线
- 供应商设备封装：14-SOIC
- 包装：带卷 (TR)
FDQ7698S