- 封装:8-MLP,Power56
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$1.07856-$1.21338
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:MOSFET N-CH DUAL 30V POWER56
- 封装:8-MLP,Power56
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$1.07856-$1.21338
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FDMS9600S 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:PowerTrench®
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A,16A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8.5 毫欧 @ 12A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1705pF @ 15V
- 功率 - 最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-MLP,Power56
- 供应商设备封装:Power56
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:FDMS9600STR

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